|
Derginin Adı:
|
International Journal Internauka
|
|
Cilt:
|
2018/2
|
|
Sayı:
|
2
|
|
Makale Başlık:
|
ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ШОТТКИ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА И СИЛИЦИДА ВОЛЬФРАМА
|
|
Makale Alternatif Dilde Başlık:
|
FEATURES OF THE FORMATION OF SCHOTTKY FIELD TRANSISTORS WITH A SELF-CONDENSED GATE ON THE BASIS OF NITRIDE AND TUNGSTEN SILICIDE
|
|
Makale Eklenme Tarihi:
|
5.04.2018
|
|
Okunma Sayısı:
|
1
|
|
Makale Özeti:
|
В данной статье рассмотрены особенности технологических процессов формирования полевых транзисторов Шоттки арсенид галлиевой технологию. А именно технологию формирования полевых транзисторов Шоттки с самосумищоным затвором на основе нитрида и силицида вольфрама.
Ключевые слова: арсенид галлия, полевые транзисторы Шоттки, нитрид вольфрама, силицид вольфрама
|
|
Alternatif Dilde Özet:
|
In this paper, the peculiarities of the technological processes of the formation of Schottky field transistors by arsenidgale technology are considered. Namely the technology of formation of Schottky field transistors with a self-locking gate on the basis of nitride and tungsten silicide.
Key words: , , ,
|